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BSP108 from PHILIPS

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BSP108

Manufacturer: PHILIPS

N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BSP108 PHILIPS 960 In Stock

Description and Introduction

N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor The BSP108 is a manufacturer part from PHILIPS. Here are its specifications based on the knowledge provided:  

- **Manufacturer**: PHILIPS  
- **Part Number**: BSP108  
- **Type**: Bipolar transistor  
- **Material**: Silicon (Si)  
- **Polarity**: NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (VCB)**: 60V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCE)**: 50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (VEB)**: 5V  
- **Maximum Collector Current (IC)**: 1A  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 1W  
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  
- **Package**: TO-39  

This information is strictly factual from the provided knowledge base.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BSP108 Philips1 1000 In Stock

Description and Introduction

N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor The BSP108 is a silicon N-channel enhancement mode vertical DMOS-FET transistor manufactured by Philips. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (VDSS)**: 60 V  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20 V  
- **Continuous Drain Current (ID)**: 0.5 A  
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: 2 A  
- **Total Power Dissipation (Ptot)**: 1 W  
- **Operating and Storage Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Threshold Voltage (VGS(th))**: 1–2.5 V  
- **Drain-Source On-State Resistance (RDS(on))**: 3 Ω (max) at VGS = 10 V, ID = 0.5 A  

The BSP108 is housed in a SOT89 package.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BSP108 NXP 3000 In Stock

Description and Introduction

N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor The BSP108 is a P-channel MOSFET manufactured by NXP. Below are its key specifications:  

- **Type**: P-channel enhancement mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS)**: -60V  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (ID)**: -1.5A  
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: -6.0A  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 2.5W  
- **On-State Resistance (RDS(on))**: 0.45Ω (max) at VGS = -10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th))**: -1.0V to -3.0V  
- **Package**: SOT223  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This information is based on NXP's datasheet for the BSP108.

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