N-channel enhancement mode field-effect transistor The BSP030 is a speaker model manufactured by PHILIPS.  

**Specifications:**  
- **Type:** Wireless Bluetooth Speaker  
- **Output Power:** 3W RMS  
- **Frequency Response:** 150Hz – 20kHz  
- **Bluetooth Version:** 4.1  
- **Battery Life:** Up to 6 hours  
- **Charging Time:** Approximately 3 hours  
- **Battery Capacity:** 600mAh  
- **Water Resistance:** IPX7 (Submersible up to 1 meter for 30 minutes)  
- **Dimensions:** 70 x 70 x 70 mm  
- **Weight:** 170g  
- **Additional Features:** Built-in microphone for hands-free calls  

This information is based on the manufacturer's provided specifications.

N-channel enhancement mode field-effect transistor The BSP030 is a power MOSFET transistor manufactured by NXP Semiconductors. Below are its key specifications:

- **Type**: N-channel enhancement mode MOSFET  
- **Package**: LFPAK (Leadless Power Package)  
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 30 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 120 A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 48 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 8.5 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1.0–2.5 V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 24 nC (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -55 °C to +175 °C  

These specifications are based on NXP's datasheet for the BSP030 MOSFET.