- **Type**: N-channel MOSFET
- **Voltage Rating (VDS)**: 60V
- **Current Rating (ID)**: 30A (continuous at 25°C)
- **Power Dissipation (PD)**: 83W (at 25°C)
- **On-Resistance (RDS(on))**: 19mΩ (max at VGS = 10V)
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V (max)
- **Package**: TO-263 (D2PAK)
- **Applications**: Power switching in automotive, industrial, and consumer electronics.

For detailed datasheet information, refer to Infineon’s official documentation.

1. **Type**: N-channel MOSFET  
2. **Package**: SOT-223  
3. **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 60 V  
4. **Continuous Drain Current (I_D)**: 1.5 A  
5. **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 6 A  
6. **Power Dissipation (P_tot)**: 2.5 W  
7. **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V  
8. **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.6 Ω (max) at V_GS = 10 V  
9. **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1.0 V (min) to 2.5 V (max)  
10. **Total Gate Charge (Q_g)**: 3.5 nC (typical)  
11. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BSO615NV. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.