SIPMOS Small-signal-Transistor The BSO615NG is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Type**: N-channel MOSFET
- **Technology**: OptiMOS™ 5
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 25 V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 100 A (at T_C = 25°C)
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 400 A
- **Power Dissipation (P_tot)**: 125 W (at T_C = 25°C)
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.61 mΩ (max at V_GS = 10 V, I_D = 50 A)
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 110 nC (typical at V_GS = 10 V, V_DS = 15 V)
- **Package**: TO-263 (D2PAK)

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BSO615NG.