- **Type**: N-channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 60 V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 30 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 120 A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 48 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**:  
  - 8.5 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
  - 10 mΩ (max) at V_GS = 4.5 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1.5 V (typical), 2.5 V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 35 nC (typical)  
- **Package**: TO-263 (D2PAK)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +175°C  

This MOSFET is designed for high-efficiency power switching applications.