Dual N- and P-Channel SIPMOS Small-Si... The BSO315C is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Type**: N-channel MOSFET
- **Package**: TO-263 (D2PAK)
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 60 V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 50 A (at 25°C)
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 200 A
- **Power Dissipation (P_tot)**: 125 W (at 25°C)
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 9.5 mΩ (max at V_GS = 10 V)
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2.0 V to 4.0 V
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 60 nC (typical at V_DS = 48 V, V_GS = 10 V)
- **Operating Junction Temperature (T_j)**: -55°C to +175°C

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BSO315C.