Low Voltage MOSFETs Part BSO303P is manufactured by Infineon. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer:** Infineon  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** N-channel  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 55 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 220 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 110 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.7 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0 V (min), 2.5 V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 65 nC  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BSO303P.