Dual N-Channel SIPMOS Small-Signal Tr... The BSO220N is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Type**: N-channel
- **Technology**: OptiMOS™ 5
- **Drain-Source Voltage (VDS)**: 200V
- **Continuous Drain Current (ID)**: 22A
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: 88A
- **Power Dissipation (PD)**: 125W
- **RDS(on) (Max)**: 0.082Ω (at VGS = 10V)
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V
- **Threshold Voltage (VGS(th))**: 3.5V (typical)
- **Input Capacitance (Ciss)**: 830pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 110pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 25pF (typical)
- **Package**: TO-220 (Through-hole)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +175°C

This MOSFET is designed for high-efficiency power switching applications.