Low Voltage MOSFETs The **BSO200N03S** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Here are its key specifications:  

- **Type**: N-channel MOSFET  
- **Technology**: OptiMOS™ 3  
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 200 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 800 A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 300 W (at 25°C)  
- **R_DS(on) (Max)**: 1.4 mΩ (at V_GS = 10 V, I_D = 100 A)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2.1 V (typical)  
- **Package**: TO-263 (D2PAK)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +175°C  

This MOSFET is designed for high-efficiency power switching applications.