Low Voltage MOSFETs The **BSO094N03S** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Here are its key specifications:  

- **Type**: N-channel MOSFET  
- **Package**: TO-263 (D2PAK)  
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 94 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 380 A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 125 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 3.9 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1.35 V (typical)  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 80 nC (typical)  
- **Avalanche Energy (E_AS)**: 240 mJ  

This MOSFET is designed for high-efficiency power switching applications, such as DC-DC converters and motor control.  

(Source: Infineon datasheet for BSO094N03S)