Low Voltage MOSFETs The **BSO052N03S** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications:  

- **Type**: N-channel MOSFET  
- **Technology**: OptiMOS™ 3  
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 52 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 210 A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 48 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**:  
  - 5.2 mΩ (at V_GS = 10 V)  
  - 6.5 mΩ (at V_GS = 4.5 V)  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 18 nC (at V_GS = 10 V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2.1 V (typical)  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

This MOSFET is optimized for high efficiency in power management applications such as DC-DC converters, motor control, and battery protection.