N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor The part **BSN254A** is manufactured by **PH (Philips Semiconductors, now NXP Semiconductors)**.  

### Key Specifications:  
- **Type**: N-channel TrenchMOS logic level FET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 0.5A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 1W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Package**: SOT23  

This information is based on the original Philips/NXP datasheet for the BSN254A.

N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor The part **BSN254A** is manufactured by **Siemens (SIE)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 0.17A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 0.36W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 10Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min) to 3V (max)  
- **Package:** SOT-23 (TO-236AB)  

This information is based on Siemens' datasheet for the BSN254A MOSFET.

N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor The BSN254A is a N-channel enhancement mode vertical DMOS FET manufactured by Vishay-Philips. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 0.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 2A  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 1W  
- **Operating Junction Temperature (T_j)**: -55°C to +150°C  
- **Drain-Source On-State Resistance (R_DS(on))**: 5Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 0.5A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1V to 3V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 20pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 5pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 2pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 30ns (typical)  
- **Package**: TO-236 (SOT-23)  

These specifications are based on Vishay-Philips' datasheet for the BSN254A.

N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor The BSN254A is a power MOSFET manufactured by PHI (Power Hybrids International). According to Ic-phoenix technical data files, the key specifications for the BSN254A are as follows:  

- **Manufacturer:** PHI (Power Hybrids International)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.5Ω (typical)  
- **Package:** TO-220  

These are the factual specifications available for the BSN254A from PHI.

N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor The part **BSN254A** is a **N-channel MOSFET** manufactured by **Infineon Technologies**. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.7A  
- **R_DS(on) (Max):** 0.25Ω at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_tot):** 2.5W  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-223  

This MOSFET is commonly used in **switching applications** such as power management and motor control.  

For detailed datasheet information, refer to Infineon's official documentation.