N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor The BSN254 is a N-channel TrenchMOS logic level FET manufactured by NXP. Below are its key specifications:

1. **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 60V  
2. **Continuous Drain Current (I_D)**: 0.5A  
3. **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 2A  
4. **Power Dissipation (P_tot)**: 1W  
5. **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
6. **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1-2V  
7. **On-State Resistance (R_DS(on))**: 5Ω (max) at V_GS = 10V  
8. **Input Capacitance (C_iss)**: 25pF (typical)  
9. **Package**: SOT23  

These specifications are based on NXP's datasheet for the BSN254.

N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor The BSN254 is a P-channel enhancement mode MOSFET. Here are the key PH (Package & Handling) specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Package Type**: SOT-23 (Small Outline Transistor)  
- **Pin Count**: 3  
- **Package Dimensions**:  
  - Height: ~1.0 mm  
  - Length: ~2.9 mm  
  - Width: ~1.3 mm  
- **Moisture Sensitivity Level (MSL)**: MSL 1 (Unlimited floor life at ≤30°C/85% RH)  
- **Storage Conditions**:  
  - Temperature: -55°C to +150°C  
  - Humidity: Non-condensing  

These are the factual PH specifications for the BSN254 manufacturer. No additional guidance or suggestions are included.