N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor The BSN20W is a part manufactured by PHILIPS.  

**Specifications:**  
- **Manufacturer:** PHILIPS  
- **Part Number:** BSN20W  

For detailed technical specifications, refer to the official PHILIPS documentation or datasheet.

N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor The BSN20W is a N-channel TrenchMOS logic level FET manufactured by NXP (formerly PHILIPS). Here are its key specifications:  

- **Type**: N-channel enhancement mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 1.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 5.1A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 1W  
- **On-State Resistance (R_DS(on))**:  
  - 0.25Ω (max) at V_GS = 4.5V  
  - 0.18Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 0.6–1.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 4.5nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 150pF (typical)  
- **Package**: SOT323 (SC-70)  

These specifications are based on NXP/PHILIPS datasheets.