N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors The BSN10A is a component, but Ic-phoenix technical data files does not contain specific manufacturer specifications for it. For detailed technical information, refer to the manufacturer's official documentation or datasheet.

N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors The BSN10A is a battery manufactured by Philips. Here are its specifications based on Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer:** Philips  
- **Model:** BSN10A  
- **Type:** Rechargeable battery  
- **Voltage:** 10.8V  
- **Capacity:** 2000mAh  
- **Chemistry:** Lithium-ion (Li-ion)  
- **Compatibility:** Designed for Philips portable devices (specific models may vary).  

For exact compatibility, refer to the device manual or Philips' official documentation.

N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors The BSN10A is manufactured by PH (Philips). The specifications for the BSN10A include:  

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: TO-92  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 30V  
- **Collector Current (I_C)**: 500mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100-600  
- **Transition Frequency (f_T)**: 250MHz  

These are the factual specifications as per the manufacturer's datasheet.