IGBT Power Module The BSM50GX120DN2 is a power semiconductor module manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Module Type**: Dual IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) with diode
- **Voltage Rating (V_CES)**: 1200 V  
- **Current Rating (I_C)**: 50 A  
- **Configuration**: Half-bridge (2 IGBTs with anti-parallel diodes)  
- **Package**: 34 mm (module size)  
- **Switching Frequency**: Suitable for medium-frequency applications  
- **Isolation Voltage**: 2500 V (AC for 1 minute)  
- **Thermal Resistance (R_th(j-c))**: 0.35 K/W per switch  
- **Weight**: Approximately 110 g  

This module is designed for industrial applications such as motor drives, UPS systems, and renewable energy converters.  

(Note: Always refer to the official Infineon datasheet for precise details.)