IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate) The BSM50GB120DN2 is an IGBT module manufactured by Infineon. Here are its key specifications:

- **Voltage Rating (V_CES):** 1200 V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 50 A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 30 A  
- **Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.1 V  
- **Maximum Power Dissipation (P_tot):** 250 W  
- **Switching Frequency:** Typically up to 20 kHz  
- **Module Configuration:** Dual (two IGBTs with anti-parallel diodes in a half-bridge configuration)  
- **Isolation Voltage (V_iso):** 2500 V (RMS)  
- **Package Type:** 34 mm housing (standard module)  
- **Weight:** Approximately 110 g  

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BSM50GB120DN2 module.

IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate) The BSM50GB120DN2 is an IGBT module manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Voltage Rating (V_CES)**: 1200 V  
- **Current Rating (I_C)**: 50 A  
- **Configuration**: Dual IGBT with antiparallel diode (half-bridge)  
- **Package**: Module  
- **Switching Frequency**: Suitable for medium-frequency applications  
- **Thermal Resistance (R_th(j-c))**: Typically around 0.35 K/W per IGBT  
- **Maximum Junction Temperature (T_j)**: 150°C  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE)**: ±20 V  

For exact datasheet details, refer to Infineon's official documentation.