IGBT Power Module The BSM300GA120DN2 is a power semiconductor module manufactured by Infineon. Here are its key specifications:

- **Module Type**: Dual IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module  
- **Voltage Rating**: 1200 V  
- **Current Rating**: 300 A  
- **Configuration**: Half-bridge (2 IGBTs with anti-parallel diodes)  
- **Package**: 62 mm (standard housing)  
- **Switching Frequency**: Suitable for medium to high-frequency applications  
- **Isolation Voltage**: Typically 2500 V (AC)  
- **Thermal Resistance**: Low thermal resistance for efficient heat dissipation  
- **Applications**: Industrial drives, renewable energy systems, UPS, and welding equipment  

For detailed datasheets or further technical parameters, refer to Infineon's official documentation.