IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate) The BSM200GB120DN2 is a power module manufactured by Infineon. Here are its key specifications:

- **Type**: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module  
- **Voltage Rating**: 1200 V  
- **Current Rating**: 200 A  
- **Configuration**: Dual IGBT with anti-parallel diode (2-in-1 module)  
- **Package**: Module  
- **Switching Frequency**: Suitable for medium to high-frequency applications  
- **Applications**: Used in motor drives, industrial inverters, and power conversion systems  

For detailed datasheets or additional technical parameters, refer to Infineon's official documentation.