IGBT Power Module The BSM200GA120DN2 is a power semiconductor module manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Manufacturer**: Infineon Technologies  
- **Module Type**: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating**: 1200 V  
- **Current Rating**: 200 A  
- **Configuration**: Dual (two IGBTs with anti-parallel diodes in a half-bridge configuration)  
- **Package**: Module (standard industrial housing)  
- **Switching Frequency**: Suitable for medium to high-frequency applications  
- **Isolation Voltage**: Typically 2500 V (AC for 1 minute)  
- **Thermal Resistance**: Low thermal resistance for efficient heat dissipation  
- **Applications**: Industrial drives, renewable energy systems, UPS, and other high-power applications  

For exact performance characteristics (e.g., switching times, saturation voltage), refer to Infineon’s official datasheet.