IGBT Power Module (Solderable Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes) The BSM150GT120DN2 is a power semiconductor module manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

1. **Module Type**: Dual IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module with freewheeling diodes.
2. **Voltage Rating**: 1200 V.
3. **Current Rating**: 150 A (nominal collector current at 80°C).
4. **Configuration**: Half-bridge (2-in-1).
5. **IGBT Technology**: TrenchStop™ (low-loss switching).
6. **Diode Type**: Emitter Controlled Diode (ECDiode™).
7. **Isolation Voltage**: 2500 V (UL certified).
8. **Thermal Resistance (Rth(j-c))**:
   - IGBT: 0.13 K/W.
   - Diode: 0.25 K/W.
9. **Switching Characteristics**:
   - Turn-on delay time (td(on)): ~50 ns.
   - Turn-off delay time (td(off)): ~400 ns.
10. **Mounting**: Screw terminal (module must be mounted with thermal interface material).
11. **Weight**: Approximately 140 g.
12. **Operating Temperature Range**: -40°C to +150°C (junction temperature).
13. **Applications**: Industrial drives, UPS, renewable energy systems, and welding equipment.

For detailed electrical and mechanical specifications, refer to the official Infineon datasheet.