IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate) The BSM150GB170DN2 is a power semiconductor module manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

1. **Module Type**: Dual IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module.
2. **Voltage Rating**: 1700V.
3. **Current Rating**: 150A.
4. **Configuration**: Half-bridge (2 IGBTs with anti-parallel diodes).
5. **Package**: Standard module package.
6. **Switching Frequency**: Suitable for medium to high-frequency applications.
7. **Isolation Voltage**: Typically 2500V (UL certified).
8. **Thermal Resistance**: Low thermal resistance for efficient heat dissipation.
9. **Applications**: Industrial drives, renewable energy systems, traction, and high-power converters.

For detailed datasheet information, refer to Infineon's official documentation.