IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate) The BSM150GB120DN2 is a power semiconductor module manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

1. **Module Type**: Dual IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module with a diode.
2. **Voltage Rating**: 1200 V.
3. **Current Rating**: 150 A.
4. **Configuration**: Half-bridge.
5. **IGBT Technology**: Trench and Fieldstop.
6. **Diode Type**: Emitter Controlled.
7. **Isolation Voltage**: 2500 V (UL certified).
8. **Thermal Resistance (Junction to Case)**:  
   - IGBT: 0.12 K/W  
   - Diode: 0.25 K/W  
9. **Maximum Operating Temperature (Tj)**: 150°C.
10. **Package**: 34 mm housing (standard).
11. **Weight**: Approximately 150 g.
12. **Applications**: Industrial drives, renewable energy systems, and traction applications.

For detailed electrical characteristics and mechanical dimensions, refer to the official Infineon datasheet.