IGBT Power Module (Solderable Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes) The BSM100GD120DN2 is a power semiconductor module manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Module Type**: Dual IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) with diode  
- **Voltage Rating (V_CES)**: 1200 V  
- **Current Rating (I_C)**: 100 A  
- **Configuration**: Half-bridge  
- **IGBT Technology**: TrenchStop™  
- **Diode Type**: Emitter Controlled Diode (ECDiode)  
- **Maximum Junction Temperature (T_vj)**: 150°C  
- **Isolation Voltage (V_iso)**: 2500 V (UL certified)  
- **Package**: 34 mm (DIN 41872)  
- **Weight**: Approximately 120 g  

These specifications are based on Infineon's official documentation. For detailed performance curves and application notes, refer to the datasheet.