IGBT-Modules The BSM100GB60DLC is a power semiconductor module manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

1. **Module Type**: Dual IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module with anti-parallel diodes.
2. **Voltage Rating**:  
   - Collector-Emitter Voltage (V_CES): 600 V  
   - Gate-Emitter Voltage (V_GE): ±20 V  
3. **Current Ratings**:  
   - Collector Current (I_C at 25°C): 100 A  
   - Collector Current (I_C at 80°C): 70 A  
   - Diode Forward Current (I_F at 25°C): 100 A  
4. **Power Dissipation**:  
   - Total Power Dissipation (P_tot): 300 W  
5. **Switching Characteristics**:  
   - Turn-On Delay Time (t_d(on)): 50 ns  
   - Turn-Off Delay Time (t_d(off)): 200 ns  
   - Fall Time (t_f): 60 ns  
6. **Thermal Resistance**:  
   - Junction-to-Case (R_thJC): 0.35 K/W  
   - Case-to-Sink (R_thCS): 0.05 K/W (with thermal grease)  
7. **Isolation Voltage**:  
   - Isolation Voltage (V_iso): 2500 V (RMS)  
8. **Package**:  
   - Module Type: 34 mm housing  
   - Mounting: Screw terminals  
9. **Operating Temperature Range**:  
   - Junction Temperature (T_j): -40°C to +150°C  
   - Storage Temperature (T_stg): -40°C to +125°C  

This module is commonly used in industrial applications such as motor drives, inverters, and power supplies.