IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate) The BSM100GB120DN2 is a power module manufactured by Infineon. Here are its key specifications:

- **Module Type**: Dual IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module  
- **Voltage Rating**: 1200 V  
- **Current Rating**: 100 A  
- **Configuration**: Half-bridge  
- **Technology**: NPT (Non-Punch Through) IGBT  
- **Package**: 34 mm housing  
- **Features**:  
  - Low V_CE(sat)  
  - High short-circuit capability  
  - Low inductance design  
  - Integrated NTC thermistor for temperature monitoring  

This module is commonly used in industrial motor drives, UPS systems, and renewable energy applications.  

(Source: Infineon datasheet for BSM100GB120DN2)