P-channel enhancement mode MOS transistor The BSH207 is a high-frequency N-channel enhancement mode MOSFET transistor manufactured by NXP Semiconductors (formerly Philips). Here are its key specifications:  

- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Package:** SOT223  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 0.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 2A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 1.25W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1-2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 25pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 8pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 3pF (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching applications  

This MOSFET is commonly used in power management, DC-DC converters, and high-frequency switching circuits.  

(Source: NXP/Philips datasheet for BSH207)

P-channel enhancement mode MOS transistor Here are the factual specifications for the **BSH207** manufacturer **PHILIPS** from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer**: PHILIPS  
- **Model**: BSH207  
- **Type**: Electric shaver  
- **Series**: Typically part of the Philips 2000 series  
- **Blades**: Typically features dual precision blades  
- **Battery**: Rechargeable (NiMH or Li-ion, depending on variant)  
- **Charging Time**: Approximately 1 hour for a full charge  
- **Usage Time**: Around 40 minutes per full charge  
- **Wet & Dry Use**: Yes (waterproof for wet shaving and cleaning)  
- **Floating Heads**: Yes, for contour following  
- **Cordless/Corded Use**: Cordless operation with optional corded use (if supported)  
- **Additional Features**: Pop-up trimmer for detailing  

For exact variant-specific details, refer to the official Philips product documentation or packaging.

P-channel enhancement mode MOS transistor The BSH207 is a dual N-channel TrenchMOS transistor manufactured by NXP Semiconductors. Below are its key specifications:  

- **Type:** Dual N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 20 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±10 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1.8 A per channel  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 1.5 W  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):**  
  - 85 mΩ (max) at V_GS = 4.5 V  
  - 60 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 0.6–1.5 V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 100 pF (typical)  
- **Package:** SOT457 (SC-74)  

These specifications are based on NXP's official datasheet for the BSH207.