P-channel vertical D-MOS logic level FET The BSH202 is a silicon NPN transistor manufactured by NXP/PHILIPS. Here are its key specifications:  

- **Type**: NPN silicon transistor  
- **Package**: SOT23 (Surface-Mount)  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB)**: 40V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 40V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C)**: 500mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 330mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100–250 (at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 250MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on NXP/PHILIPS datasheets.