N-channel TrenchMOS extremely low level FET The BSH121 is a dual N-channel enhancement mode MOSFET manufactured by NXP Semiconductors. Below are its key specifications:

1. **Voltage Ratings**:
   - Drain-Source Voltage (V_DS): 20 V
   - Gate-Source Voltage (V_GS): ±8 V

2. **Current Ratings**:
   - Continuous Drain Current (I_D): 1.5 A per channel
   - Pulsed Drain Current (I_DM): 5 A per channel

3. **On-State Resistance (R_DS(on))**:
   - 0.25 Ω (max) at V_GS = 4.5 V, I_D = 1.5 A
   - 0.35 Ω (max) at V_GS = 2.5 V, I_D = 1.0 A

4. **Threshold Voltage (V_GS(th))**:
   - 0.5 V (min), 1.5 V (typ), 2.5 V (max)

5. **Power Dissipation**:
   - Total Power Dissipation (P_tot): 1.1 W (at T_amb = 25°C)

6. **Package**:
   - SOT363 (SC-88) surface-mount package

7. **Applications**:
   - Power management in portable devices
   - Load switching
   - Battery-powered applications

8. **Operating Temperature Range**:
   - -55°C to +150°C

These specifications are based on NXP's datasheet for the BSH121 dual N-channel MOSFET.

N-channel TrenchMOS extremely low level FET The BSH121 is a manufacturer part from PHILIPS. However, specific technical specifications, features, or details about this part are not provided in Ic-phoenix technical data files. For accurate information, it is recommended to consult official PHILIPS documentation or datasheets.