N-channel enhancement mode field-effect transistor The BSH111 is a P-channel MOSFET manufactured by Nexperia. Here are the key PHI (Product Health Information) specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Maximum Drain-Source Voltage (V_DS)**: -20 V  
2. **Maximum Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±12 V  
3. **Continuous Drain Current (I_D)**: -3.1 A (at T_C = 25°C)  
4. **Power Dissipation (P_tot)**: 1.1 W (at T_amb = 25°C)  
5. **On-Resistance (R_DS(on))**: 60 mΩ (max) at V_GS = -4.5 V  
6. **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -0.4 V to -1.5 V  
7. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

The device is available in a SOT23 package.  

(Source: Nexperia datasheet for BSH111)