N-channel enhancement mode MOS transistor The BSH107 is a N-channel TrenchMOS logic level FET manufactured by NXP (formerly Philips). Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 0.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 2A  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 1W  
- **Operating Junction Temperature (T_j)**: -55°C to +150°C  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1-2V  
- **On-State Resistance (R_DS(on))**: 0.6Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 35pF  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 10pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 5pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 5ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 15ns  
- **Package**: SOT23 (3-pin)  

This information is sourced from the official NXP datasheet for the BSH107.