N-channel enhancement mode MOS transistor The BSH106 is a semiconductor component manufactured by PHILIPS. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Type**: N-channel enhancement mode MOSFET  
- **Maximum Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V  
- **Maximum Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 1.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 6A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 1W  
- **On-State Resistance (R_DS(on))**: 0.5Ω (typical at V_GS = 10V, I_D = 1A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1V to 3V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 50pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 15pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 5pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r)**: 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 35ns (typical)  
- **Fall Time (t_f)**: 15ns (typical)  
- **Package**: TO-92  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official PHILIPS documentation.

N-channel enhancement mode MOS transistor The BSH106 is a N-channel TrenchMOS transistor manufactured by NXP Semiconductors. Below are its key specifications:

1. **Type**: N-channel TrenchMOS transistor  
2. **Package**: SOT223  
3. **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 60 V  
4. **Continuous Drain Current (I_D)**: 0.5 A  
5. **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 2 A  
6. **Power Dissipation (P_tot)**: 1.25 W  
7. **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V  
8. **On-State Resistance (R_DS(on))**:  
   - 1.5 Ω (max) at V_GS = 10 V  
   - 2.5 Ω (max) at V_GS = 4.5 V  
9. **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1–2.5 V  
10. **Total Gate Charge (Q_g)**: 1.3 nC (typical)  
11. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on NXP's datasheet for the BSH106 transistor.