N-channel enhancement mode MOS transistor The BSH105 is a high-voltage N-channel power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are the key PHI (Product Health Information) specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Maximum Drain-Source Voltage (V_DS)**: 500V  
2. **Continuous Drain Current (I_D)**: 4.5A (at 25°C)  
3. **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 18A  
4. **Power Dissipation (P_D)**: 48W (at 25°C)  
5. **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
6. **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.65Ω (typical at V_GS = 10V)  
7. **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C  
8. **Thermal Resistance Junction-to-Case (R_thJC)**: 2.6°C/W  

These specifications are based on standard operating conditions unless otherwise noted.