N-channel enhancement mode MOS transistor The BSH104 is a semiconductor component manufactured by PHILIPS (now NXP Semiconductors). Here are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: NPN Darlington Transistor  
2. **Package**: TO-220  
3. **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 100V  
4. **Maximum Collector Current (I_C)**: 8A  
5. **Power Dissipation (P_tot)**: 40W  
6. **DC Current Gain (h_FE)**: Min. 1000  
7. **Applications**: High-current switching, motor control, power amplification  

These specifications are based on available datasheet information. For exact details, refer to the official NXP (formerly PHILIPS) documentation.

N-channel enhancement mode MOS transistor The BSH104 is a N-channel TrenchMOS logic level FET manufactured by NXP Semiconductors. Below are its key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 20 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1.3 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 5 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 1.1 W  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.28 Ω (max) at V_GS = 4.5 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 0.6–1.5 V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 110 pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 30 pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20 pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 6 ns  
- **Rise Time (t_r):** 15 ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 25 ns  
- **Fall Time (t_f):** 10 ns  
- **Package:** SOT23 (3-pin)  

This information is sourced from the NXP datasheet for the BSH104.