N-channel enhancement mode MOS transistor The BSH103 is a P-channel MOSFET manufactured by ROHM Semiconductor. Here are the key PHI (Product Health Information) specifications for the BSH103:

1. **Voltage Rating**:  
   - Drain-Source Voltage (V_DSS): -30V  
   - Gate-Source Voltage (V_GSS): ±20V  

2. **Current Ratings**:  
   - Continuous Drain Current (I_D): -4.3A (at T_C = 25°C)  
   - Pulsed Drain Current (I_DM): -17A  

3. **Power Dissipation**:  
   - Total Power Dissipation (P_D): 30W (at T_C = 25°C)  

4. **On-Resistance (R_DS(on))**:  
   - 85mΩ (max) at V_GS = -10V, I_D = -4.3A  

5. **Thermal Characteristics**:  
   - Junction-to-Ambient Thermal Resistance (R_θJA): 62.5°C/W  
   - Junction-to-Case Thermal Resistance (R_θJC): 3.57°C/W  

6. **Operating Temperature Range**:  
   - -55°C to +150°C  

7. **Package**:  
   - TO-252 (DPAK)  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application-specific conditions, refer to ROHM's official documentation.