N-channel enhancement mode MOS transistor The BSH102 is a P-channel MOSFET manufactured by ROHM Semiconductor. Below are the key PHI (Product Health Information) specifications for the BSH102:  

1. **Maximum Ratings**:  
   - **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -20 V  
   - **Gate-Source Voltage (V_GSS)**: ±12 V  
   - **Drain Current (I_D)**: -3.5 A  
   - **Power Dissipation (P_D)**: 1.5 W (at 25°C)  

2. **Electrical Characteristics**:  
   - **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -0.4 V to -1.5 V (V_DS = -5 V, I_D = -250 µA)  
   - **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.15 Ω (max) at V_GS = -4.5 V, I_D = -3.5 A  

3. **Thermal Characteristics**:  
   - **Junction-to-Ambient Thermal Resistance (R_θJA)**: 83.3°C/W  

4. **Package**:  
   - **Type**: SOP-8  

5. **Operating Temperature Range**:  
   - **Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on ROHM's official datasheet for the BSH102. For detailed performance curves and application notes, refer to the manufacturer's documentation.

N-channel enhancement mode MOS transistor The BSH102 is a component manufactured by PHILIPS. However, specific details about its specifications are not provided in Ic-phoenix technical data files. For accurate technical information, you may need to refer to official PHILIPS documentation or datasheets.

N-channel enhancement mode MOS transistor The BSH102 is a high-side power switch manufactured by NXP Semiconductors. Below are its key specifications:  

- **Type**: P-channel MOSFET high-side switch  
- **Voltage Range**: 4.5V to 28V supply voltage  
- **Current Handling**: Up to 1.3A continuous current  
- **On-Resistance (RDS(on))**: Typically 0.35Ω at 25°C  
- **Protection Features**:  
  - Overcurrent protection  
  - Thermal shutdown  
  - Reverse polarity protection  
- **Logic-Level Control**: Compatible with 3.3V and 5V logic  
- **Package**: SOT457 (SC-74)  

This information is based on NXP's official datasheet for the BSH102.