N-channel enhancement mode MOS transistor The BSH101 is a silicon NPN transistor manufactured by NXP Semiconductors. Below are its key specifications:  

- **Type**: NPN bipolar junction transistor (BJT)  
- **Package**: SOT23 (Surface-Mount)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V  
- **Collector Current (IC)**: 500mA (max)  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 330mW (max)  
- **DC Current Gain (hFE)**: 100 to 250 (at IC = 10mA, VCE = 1V)  
- **Transition Frequency (fT)**: 150MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

The BSH101 is commonly used in switching and amplification applications.  

(Source: NXP Semiconductors datasheet)