OptiMOS?3 Power-Transistor The BSC123N08NS3 G is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Type**: N-channel  
- **Technology**: OptiMOS™ 3  
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 80 V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 123 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 369 A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 333 W  
- **R_DS(on) (max)**: 1.23 mΩ at V_GS = 10 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 3.5 V (typical)  
- **Package**: TO-263 (D2PAK)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +175°C  

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BSC123N08NS3 G.