OptiMOS?3 M-Series Power-MOSFET The BSC120N03MS G is a power MOSFET manufactured by Infineon. Here are its key specifications:

- **Type**: N-channel
- **Technology**: OptiMOS™ 3
- **Drain-Source Voltage (VDS)**: 30 V
- **Continuous Drain Current (ID)**: 120 A
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: 480 A
- **Power Dissipation (PD)**: 125 W
- **RDS(on) (max)**: 1.2 mΩ at VGS = 10 V
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20 V
- **Threshold Voltage (VGS(th))**: 1.35 V (typical)
- **Total Gate Charge (Qg)**: 85 nC (typical)
- **Package**: PG-TDSON-8 (5x6 mm)

This MOSFET is designed for high-efficiency power conversion applications.