OptiMOS2 Power-Transistor The **BSC119N03SG** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications:

- **Type**: N-channel MOSFET  
- **Technology**: OptiMOS™ 3  
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 119 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 476 A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 294 W (at 25°C)  
- **R_DS(on) (Max)**: 1.7 mΩ (at V_GS = 10 V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1.35 V (typical)  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 100 nC (typical)  
- **Package**: TO-263 (D2PAK)  

This MOSFET is optimized for high-efficiency power conversion applications.