OptiMOS3 Power-Transistor The BSC110N06NS3 G is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Here are its key specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Type**: N-channel MOSFET  
- **Technology**: OptiMOS™ 3  
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 60 V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 110 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 440 A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 250 W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 1.1 mΩ (max at V_GS = 10 V)  
- **Package**: TO-263 (D2PAK)  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +175°C  
- **Applications**: High-efficiency DC-DC converters, motor control, and power management  

For exact details, refer to the official **Infineon datasheet**.