OptiMOS?3 M-Series Power-MOSFET The **BSC100N03MS G** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Here are its key specifications:

- **Type**: N-channel MOSFET  
- **Technology**: OptiMOS™ 3  
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 100 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 400 A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 200 W  
- **R_DS(on) (Max)**: 3.7 mΩ (at V_GS = 10 V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2.35 V (typical)  
- **Package**: TO-263 (D2PAK)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +175°C  

This MOSFET is designed for high-efficiency power switching applications.  

(Source: Infineon datasheet for BSC100N03MS G)