OptiMOS2 Power-Transistor The BSC094N03SG is a power MOSFET manufactured by Infineon. Here are its key specifications:

- **Type**: N-channel
- **Technology**: OptiMOS™ 3
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 30 V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 94 A (at 25°C)
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 380 A
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.94 mΩ (max at V_GS = 10 V)
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V
- **Power Dissipation (P_tot)**: 238 W (at 25°C)
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +175°C
- **Package**: SuperSO8 (PG-TSDSON-8)
- **Applications**: High-efficiency DC-DC converters, motor control, and power management.

This information is based on Infineon's datasheet for the BSC094N03SG MOSFET.

OptiMOS2 Power-Transistor The BSC094N03SG is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Type**: N-channel
- **Technology**: OptiMOS™ 3
- **Drain-Source Voltage (VDS)**: 30 V
- **Continuous Drain Current (ID)**: 94 A
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: 380 A
- **On-Resistance (RDS(on))**: 0.94 mΩ (max at VGS = 10 V)
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20 V
- **Power Dissipation (PD)**: 250 W
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -55°C to +175°C
- **Package**: TO-263 (D2PAK)
- **Applications**: Synchronous rectification, DC-DC converters, motor control

These specifications are based on typical operating conditions. For detailed performance curves and reliability data, refer to the official datasheet.