OptiMOS3 Power-Transistor The BSC093N04LS G is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Type**: N-channel
- **Technology**: OptiMOS™
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 40 V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 93 A (at 25°C)
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 370 A
- **R_DS(on) (Max)**: 0.93 mΩ (at V_GS = 10 V)
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V
- **Power Dissipation (P_tot)**: 250 W (at 25°C)
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +175°C
- **Package**: TO-263 (D2PAK)
- **Mounting Type**: Surface Mount
- **Applications**: DC-DC converters, motor control, power management

For detailed information, refer to the official Infineon datasheet.