OptiMOS3 Power-Transistor The **BSC076N06NS3G** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Here are its key specifications:

### **Electrical Characteristics:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 76 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300 A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.1 V (typical)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 7.6 mΩ (max at V_GS = 10 V)  

### **Thermal & Package Specifications:**
- **Power Dissipation (P_D):** 250 W (at 25°C)  
- **Junction-to-Ambient Thermal Resistance (R_θJA):** 62 K/W  
- **Junction-to-Case Thermal Resistance (R_θJC):** 0.5 K/W  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Switching Characteristics:**
- **Input Capacitance (C_iss):** 2200 pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600 pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100 pF  

### **Other Features:**
- **Technology:** OptiMOS™  
- **Avalanche Energy Rated (E_AS):** Yes  
- **RoHS Compliant:** Yes  

This MOSFET is designed for high-efficiency power switching applications, such as DC-DC converters, motor control, and power management.  

(Source: Infineon datasheet for BSC076N06NS3G)