OptiMOS3 Power-Transistor The BSC067N06LS3G is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Type**: N-channel
- **Technology**: OptiMOS™
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 60 V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 67 A (at 25°C)
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 268 A
- **R_DS(on) (Max)**: 6.7 mΩ (at V_GS = 10 V)
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V
- **Power Dissipation (P_tot)**: 125 W
- **Operating Junction Temperature (T_j)**: -55°C to +175°C
- **Package**: TO-263 (D2PAK)
- **Applications**: Power management, DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency switching applications.  

This MOSFET is designed for high-performance, low-loss power switching.

OptiMOS3 Power-Transistor The BSC067N06LS3G is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Type**: N-channel MOSFET
- **Technology**: OptiMOS™ 3
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 60 V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 67 A (at 25°C)
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 268 A
- **Power Dissipation (P_tot)**: 125 W (at 25°C)
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V
- **On-State Resistance (R_DS(on))**: 6.7 mΩ (max at V_GS = 10 V)
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 22 nC (typical at V_DS = 48 V, I_D = 67 A)
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2.5 V (typical)
- **Package**: TO-263 (D2PAK)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +175°C

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BSC067N06LS3G.