OptiMOS?2 Power-Transistor The BSC059N03SG is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications:

- **Type**: N-channel
- **Technology**: OptiMOS™
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 30 V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 100 A (at 25°C)
- **Pulsed Drain Current (I_D,pulse)**: 390 A
- **R_DS(on) (Max)**: 5.9 mΩ (at V_GS = 10 V)
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V
- **Power Dissipation (P_tot)**: 125 W (at 25°C)
- **Operating Junction Temperature (T_j)**: -55°C to +175°C
- **Package**: TO-263 (D2PAK)
- **Mounting Type**: Surface Mount
- **Applications**: DC-DC converters, motor control, power management

This information is based on Infineon's datasheet for the BSC059N03SG.

OptiMOS?2 Power-Transistor The BSC059N03SG is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Type**: N-channel MOSFET  
- **Package**: PG-TSDS-8 (8-pin)  
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 50 A  
- **Pulsed Drain Current (I_D,pulse)**: 200 A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 48 W  
- **R_DS(on) (max)**: 5.9 mΩ (at V_GS = 10 V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1.35 V (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This MOSFET is optimized for high-efficiency power switching applications.

OptiMOS?2 Power-Transistor The BSC059N03SG is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Type**: N-channel
- **Technology**: OptiMOS™ 3
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 30 V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 50 A (at 25°C)
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 200 A
- **R_DS(on) (Max)**: 5.9 mΩ (at V_GS = 10 V)
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V
- **Power Dissipation (P_tot)**: 42 W (at 25°C)
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +175°C
- **Package**: TO-263 (D2PAK)
- **Applications**: DC-DC converters, motor control, power management.

These specifications are based on Infineon's official datasheet for the BSC059N03SG.

OptiMOS?2 Power-Transistor The BSC059N03SG is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Type**: N-channel
- **Technology**: OptiMOS™ 3
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 30 V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 100 A (at 25°C)
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 400 A
- **R_DS(on) (Max)**: 5.9 mΩ (at V_GS = 10 V)
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V
- **Power Dissipation (P_tot)**: 125 W (at 25°C)
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +175°C
- **Package**: TO-263 (D2PAK)

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BSC059N03SG.