OptiMOS3 Power-Transistor The BSC057N08NS3G is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications:

- **Part Number**: BSC057N08NS3G
- **Manufacturer**: Infineon Technologies
- **Technology**: N-channel MOSFET
- **Package**: PG-TDSON-8 (5x6)
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 80 V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 57 A (at 25°C)
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 228 A
- **Power Dissipation (P_tot)**: 125 W (at 25°C)
- **R_DS(on) (Max)**: 5.7 mΩ (at V_GS = 10 V, I_D = 28.5 A)
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20 V
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 3.5 V (typical)
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 44 nC (typical at V_DS = 40 V, I_D = 28.5 A)
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C
- **Applications**: Power management, DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency switching applications.

This information is based on Infineon's official datasheet for the BSC057N08NS3G.