- **Part Number:** BSC057N03LSG
- **Manufacturer:** Infineon
- **Technology:** OptiMOS™ 3
- **Type:** N-Channel
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30 V
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50 A (at 25°C)
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200 A
- **Power Dissipation (P_tot):** 48 W (at 25°C)
- **R_DS(on) (Max):** 5.7 mΩ (at V_GS = 10 V, I_D = 25 A)
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.35 V (typical)
- **Total Gate Charge (Q_g):** 12 nC (typical at V_GS = 10 V)
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100 pF (typical)
- **Output Capacitance (C_oss):** 300 pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60 pF (typical)
- **Package:** TO-263 (D2PAK)
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BSC057N03LSG MOSFET.