OptiMOS?3 M-Series Power-MOSFET The BSC050N03MS G is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** BSC050N03MS G  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** OptiMOS™ 3  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 48 W  
- **R_DS(on) (Max) at V_GS = 10 V:** 5.0 mΩ  
- **R_DS(on) (Max) at V_GS = 4.5 V:** 6.5 mΩ  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.35 V (typical)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 22 nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1300 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 390 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 70 pF (typical)  
- **Package:** PG-TSDSON-8 (3.3 x 3.3 mm)  

This MOSFET is designed for high-efficiency power conversion applications.  

(Source: Infineon datasheet for BSC050N03MS G)